稳了，强压之下中芯国际率先突破，国产8nm芯片最快年底试产
数码新一
09-21 19:13数码达人
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文/数码新一
9月15日美国针对华为的禁令正式生效，这意味着在接下来的一段时间内华为将面临没有新芯片诞生的窘境，用一点就少一点，直到库存的1.3亿枚芯片耗尽。如果短时间内找不到替代方案，华为可能真的要被迫放弃手机业务了。
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这对国内科技企业绝对是一个巨大的威胁，一旦你做到了行业顶尖的位置，就有可能遭受到美国的打压，所以走到现在华为的生死存亡关乎的不只是自己的安危，更是代表着中国科技的发展命运，所以华为绝对不能倒下。
随着芯片的禁令的的生效，国内对自研半导体生产线的呼声越来越高，突破行业壁垒打破美国技术封锁已是迫在眉睫。
如何突破技术限制呢？要知道芯片发展至今早已形成一套完整的技术生产链，而这个生产链的核心技术大都掌握在国外（美国），而其中最关键的就是国内缺少EUV光刻机（极紫外光光刻机），它是制造10nm制程以下芯片的基础，没有它国内芯片代工厂商就无法更近一步突破到10nm内。
10nm就像一个分水岭，阻挡着国内芯片代工厂前进的脚步，只有突破了才能加入高端芯片制造的竞争行列，也就有了与国外抗衡的资格。不过想要做到这一步可不容易，EUV光刻机始终是一个无法绕过的难题。
光刻机为何这么难造？原因是它并非是一个国家能够单独完成的，而是集合了美、德、日、法等全球几十个国家的尖端技术，总部件更是夸张到10万个，少一个都不行，而最终汇集到荷兰的ASML公司完成组装调试，不仅如此，每年还需要大量的科研人员定期维护。说到这里你就理解一台EUV光刻机有多难得，中国造不出来的原因了吧。
难道没有EUV光刻机就真的无法制造出先进的芯片吗？正常情况下是毫无疑问的。
不过面对美国的重压之下，国内半导体企业中芯国际另辟蹊径率先做出突破，一种不需要依赖顶尖光刻机的芯片技术问世。
FinFET N+1是一种全新的芯片制造方案，它将帮助国产芯片的进程突破到8nm时代。实际上这种技术已经不是首次出现，早在2019年中芯国际就用FinFET技术实现14nm芯片的量产，而这次N+1在今年的9月18日正式宣布突破技术限制，这意味着中芯国际将成为大陆首个突破到10nm工艺内的厂家，这绝对是让人庆贺的事情。
值得注意的是，目前该工艺已经进入导客阶段，也就是说这种技术已经具备试产芯片的条件，不再是一场梦。如果顺利的话，年底实现小批量试产是没有问题的，按照中芯国际的算法，芯片的制程应该算是8nm工艺，与上一代相比它的功耗降低了7%而性能提升了20% 左右，非常给力。
不过也不能太过骄傲，芯片代工的龙头企业台积电已经能够大批量量产5nm芯片了，麒麟9000和苹果的A14都是此等工艺；而且更为厉害的是，台积电很有可能在明年实现3nm工艺芯片的量产，稳坐芯片代工一个位置。而排第二的三星虽不如台积电晚了一步，但最迟也在明年上半年实现5nm量产，与他们相比，国内还是要落后一大截。
当然不管怎么说，中芯国际此次的突破恰逢时机，在美国的打压下前进一大步，给国产挣得了脸面，知道我们也不是那么容易被打败的。
最后为中国加油，为中芯国际点赞。
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发表于 2020-9-27 20:08
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